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La unidad de estado sólido GoodRam IRDM recientemente lanzada ofrece un rendimiento varias veces más rápido en relación con SATA III. Esto también significa una velocidad de carga 6 veces mejor y un proceso de escritura más rápido durante la reproducción de tus juegos favoritos.
Al ofrecer una velocidad de lectura de 3200 MB/s con una interfaz PCIe 3 x 4, ofrece un potencial decente relevante para su generación 3.0. La especificación IRDM M.2 permite que el SSD se utilice como una alternativa a los productos de interfaz 4.0, cuyo rendimiento debe satisfacer las más altas exigencias, pero siguen siendo muy costosos para muchos usuarios.
Especificaciones GoodRam IRDM
- Capacidad: 512 GB
- Interfaz: M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (tecla M)
- Factor de forma: M.2 2280
- Flash NAND: TLC 3D
- Controlador: Phison E12 con tampón dram
- MTBF: 1800 000 horas
- Velocidad de lectura de datos (máx.): 3200 MB/s
- Velocidad de escritura de datos (máx.) 2000 MB/s
- Operaciones de lectura aleatorias por segundo (archivos 4K): 295.000 IOPS
- Operaciones de escritura aleatorias por segundo (archivos 4K): 500.000 IOPS
- Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 °C
- Temperatura de almacenamiento: -45 - 85 °C
- Garantía de 5 años limitada por el parámetro TBW* y soporte técnico gratuito.
* Limitado por TBW (Total Bytes Written): después de alcanzar el parámetro TBW o después de 5 años, el producto ya no está cubierto por la garantía.
| Disco Duro | |
| Almacenamiento | 512 GB |
| Conexiones | M.2 |
| M.2 Key | PCIe3.0 |
| Pulgadas | Sin especificar |
| Tecnología de Disco Duro | Disco SSD |
| Tipo de uso | Interno |
| Velocidad de Escritura (SSD) | 1000-2000 MB/s |
| Velocidad de Lectura (SSD) | 3000-4000 MB/s |
| Velocidad de Rotación | No aplica |
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