Del universo MSI llega el almacenamiento con velocidades vertiginosas y un rendimiento increíble. Lleve su sistema al siguiente nivel con SPATIUM.

Características:

• SUPERCARGADO CON GEN 5: Entusiásmese con el rendimiento de almacenamiento de próxima generación que une la última tecnología de controlador PCIe Gen 5 y flash 3D NAND de última generación, lo que proporciona velocidades de lectura/escritura hasta 1,5 veces más rápidas en comparación con las SSD de la generación anterior.
• ¡Una necesidad de velocidad! Optimizado para la interfaz PCIe Gen5, el SSD SPATIUM M570 alcanza velocidades de lectura/escritura de hasta 10000/10000 MB/s, lo que permite una transferencia de datos rápida y tiempos de carga de juegos más cortos.
• Disipador de calor de aluminio: SPATIUM M570 tiene un magnífico disipador de calor de aluminio de color bronce con una estructura de aletas apiladas que disipa el calor de manera eficiente y permite que el SSD mantenga el máximo rendimiento bajo una carga pesada.
• Cumplir con el potencial ilimitado: Las capacidades integradas de seguridad de datos y corrección de errores amplían la resistencia y la longevidad del almacenamiento flash NAND, lo que le permite batir récords en los juegos o llevar su talento al siguiente nivel.
• CONSTRUIDO PARA GANAR: Con la actitud de los jugadores, las SSD SPATIUM optimizadas para un ancho de banda y un rendimiento de alto rendimiento le permiten esperar menos al cargar juegos y jugar para ganar con una latencia mínima.

Especificaciones MSI SPATIUM M570

• Nombre del modelo SPATIUM M570 PCIe 5.0 NVMe M.2 HS
• Capacidad  2 TB
• Controlador PHISON E26
• Memoria Flash 3D NAND
• Caché DRAM  4GB LPDDR4
• Factor de forma M.2 2280
• Interfaz PCIe Gen5x4, NVMe 2.0
• Compatibilidad PCIe Gen5 / Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1
• Dimensiones
• 80,40 mm (largo) x 23,00 mm (ancho) x 20,40 mm (alto) (con disipador de calor)
• Lectura secuencial hasta (MB/s) 10 000
• Escritura secuencial hasta (MB/s) 10 000
• Lectura aleatoria 4 KB hasta (IOPS)  1 400 000
• Escritura aleatoria 4 KB hasta (IOPS) 1 500 000
• Potencia máxima de funcionamiento (W) 11
• Temperaturas de funcionamiento 0°C – 70°C
• Temperaturas de almacenamiento -40°C – 85°C
• Terabytes escritos (TBW)  1400
• Tiempo medio entre fallos
• (MTBF) Hasta 1.600.000 Horas
• Garantía limitada de 5 años o la cobertura para el TBW máximo según se indica, lo que ocurra primero.
• Características avanzadas
• TRIM (optimización del rendimiento, se requiere compatibilidad con el sistema operativo)
• SMART (Tecnología de autosupervisión, análisis e informes)
• Algoritmo ECC LDPC (comprobación de paridad de baja densidad)
• Protección de ruta de datos de extremo a extremo APST (Transición de estado de energía autónoma)