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PNY MN4GSD42666 SO-DIMM DDR4 2666 MHz 4GB CL19

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Sobre el producto

La memoria Performance DDR4 de PNY incluye velocidades más rápidas, mayor ancho de banda, menor consumo de energía y mejor rendimiento térmico para una mejora notable en los tiempos de respuesta del PC durante el uso de aplicaciones de uso intensivo de memoria.

Los módulos de memoria Performance DDR4 de PNY están diseñados y probados rigurosamente para garantizar un rendimiento estable y fiable en entornos informáticos de la vida real.

Especificaciones:

  • Características
    • Latencia CAS: 19
    • Memoria interna: 4 GB
    • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
    • Tipo de memoria interna: DDR4
    • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
    • Componente para: Portátil

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Estrellas
Reseña
RAM Memory
Memory LatencyCL19
OverclockNo
RAM Memory FormatSO-DIMM
RAM Memory Frequency2666 Mhz
RAM Quantity4 GB
RAM SizeKit 1x4GB
RGBNo
Type of RAM MemoryDDR4